ارائه نسل بعدی حافظه / پردازنده، با ماده دوبعدی حاوی ۱۰۰۰ ترانزیستور
تاریخ انتشار: ۲۸ آبان ۱۴۰۲ | کد خبر: ۳۹۱۱۶۲۹۸
همانطور که فناوری اطلاعات و ارتباطات (ICT) داده‌ها را پردازش می‌کند، برق را نیز به گرما تبدیل می‌کند. در حال حاضر، ردپای CO ۲ اکوسیستم جهانی ICT با هوانوردی رقابت می‌کند.
به گزارش گروه دانشگاه خبرگزاری دانشجو، همانطور که فناوری اطلاعات و ارتباطات (ICT) داده‌ها را پردازش می‌کند، برق را نیز به گرما تبدیل می‌کند.
بیشتر بخوانید:
اخباری که در وبسایت منتشر نمی‌شوند!
در مقاله‌ای که در مجله Nature Electronics منتشر شده است، محققان آزمایشگاه الکترونیک و سازه‌های نانومقیاس (LANES) در EPFL یک پردازنده جدید ارائه کردند. در این سیستم، این ناکارآمدی با ادغام پردازش و ذخیره‌سازی داده‌ها بر روی یک دستگاه واحد رفع می‌شود. این فناوری به اصطلاح پردازنده درون حافظه است. آن‌ها با ایجاد اولین پردازشگر درون حافظه بر اساس یک ماده نیمه‌هادی دو بعدی که بیش از ۱۰۰۰ ترانزیستور را تشکیل می‌دهد، نقطه عطفی کلیدی در مسیر تولید صنعتی این قطعه ایجاد کردند.
به گفته آندراس کیس، که این مطالعه را رهبری کرد، مقصر اصلی ناکارآمدی پردازنده‌های امروزی، معماری فون نویمان، به‌طور خاص، جداسازی فیزیکی اجزای مورد استفاده برای انجام محاسبات و ذخیره داده‌ها است. به‌دلیل این جدایی، پردازنده‌ها برای انجام محاسبات نیاز به بازیابی داده‌ها از حافظه دارند که شامل حرکت بار‌های الکتریکی، شارژ و تخلیه خازن‌ها و انتقال جریان در طول خطوط است که همگی انرژی را تلف می‌کنند.
تا حدود ۲۰ سال پیش، این معماری منطقی بود، زیرا انواع مختلفی از دستگاه‌ها برای ذخیره‌سازی و پردازش داده‌ها مورد نیاز بود. اما معماری فون نویمان به طور فزاینده‌ای با جایگزین‌های کارآمدتر به چالش کشیده می‌شود. کیس توضیح می‌دهد: امروزه، تلاش‌های مداومی برای ادغام ذخیره‌سازی و پردازش در یک پردازنده‌های حافظه انجام می‌شود که حاوی عناصری هستند که هم به‌عنوان حافظه و هم به‌عنوان ترانزیستور کار می‌کنند. آزمایشگاه او راه‌هایی را برای دستیابی به این هدف با استفاده از دی سولفید مولیبدن (MoS ۲)، یک ماده نیمه هادی، ارائه کرده است.
آن‌ها در این پروژه، یک پردازنده حافظه مبتنی بر MoS ۲ را ارائه می‌کنند که بهبود در کارایی آن می‌تواند صرفه جویی قابل توجهی در انرژی در کل بخش ICT به همراه داشته باشد.
پردازنده آن‌ها ۱۰۲۴ عنصر را در یک تراشه یک در یک سانتی متر ترکیب می‌کند. هر عنصر شامل یک ترانزیستور ۲ بعدی MoS ۲ و همچنین یک دروازه شناور است. انتخاب MoS ۲ نقش حیاتی در توسعه پردازنده درون حافظه آن‌ها ایفا کرده است، MoS ۲ یک نیمه هادی تک لایه پایدار با ضخامت تنها سه اتم است.
منبع: خبرگزاری دانشجو
کلیدواژه: حافظه پردازنده پردازنده ها داده ها
درخواست حذف خبر:
«خبربان» یک خبرخوان هوشمند و خودکار است و این خبر را به‌طور اتوماتیک از وبسایت snn.ir دریافت کرده‌است، لذا منبع این خبر، وبسایت «خبرگزاری دانشجو» بوده و سایت «خبربان» مسئولیتی در قبال محتوای آن ندارد. چنانچه درخواست حذف این خبر را دارید، کد ۳۹۱۱۶۲۹۸ را به همراه موضوع به شماره ۱۰۰۰۱۵۷۰ پیامک فرمایید. لطفاً در صورتی‌که در مورد این خبر، نظر یا سئوالی دارید، با منبع خبر (اینجا) ارتباط برقرار نمایید.
با استناد به ماده ۷۴ قانون تجارت الکترونیک مصوب ۱۳۸۲/۱۰/۱۷ مجلس شورای اسلامی و با عنایت به اینکه سایت «خبربان» مصداق بستر مبادلات الکترونیکی متنی، صوتی و تصویر است، مسئولیت نقض حقوق تصریح شده مولفان در قانون فوق از قبیل تکثیر، اجرا و توزیع و یا هر گونه محتوی خلاف قوانین کشور ایران بر عهده منبع خبر و کاربران است.
خبر بعدی:
فرایند پخت نیمرو با 1000 تخم مرغ توسط آشپر روستایی (فیلم)
منبع:فرادید
علت فوت پزشک متخصص در استان فارس در دست بررسی است